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Stripping Methode : mit Aufkleben eines weiteren Trägers (Silizium, Glas etc.) auf die Oberseite des goldbeschichteten Siliziumwafers und anschließendem mechanischen Abtrennen des Basissubstrates.
Die Oberseite zeigt eine ähnliche Struktur wie gleichdicke Goldfilme mit Haftvermittler.
Die untere, gestrippte Seite zeigt eine stark veränderte Morphologie zur Oberseite. Die Ursache ist noch ungeklärt.
Eine andere Stelle der Unterseite.
Die Unterseite zeigt insgesamt eine geringere Rauhigkeit als die Oberseite (RMS ca. 0,8nm ). Das entspricht etwa 30% gegenüber der Oberseite.
in dem größerenScanbereich oben erkennt man schon die Ausbildung von Korngrenzen, wobei sich die Körner in einem noch frühen Rekristallisationstadium befinden. Sie setzen sich aus noch kleineren Körnern zusammen.